SIC транзисторы в Украине
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус:...
Описание Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor Технические параметры Технология/семейство field stop Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А...
IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимальный...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold...
Features: ,- High Output Power, High Gain, High EfficiencyPout = +37.8 dBm, , Linear Gain = 18 dB, PAE = 65%(VDS = 6 V, f = 520 MHz)- Compact package capable of...
В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2300DS 2300 транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема STN4NF03L аналог WM04N50M характеристики цоколевка datasheet STT6N3LLH6 Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В...
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
-
-
-
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора:...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами....
П701 Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным...
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9018 J8 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог С9018 схема KTC9019 характеристики цоколевка datasheet S9018 относятся к малошумящим (NC до 4,0 дБ) широкополосным транзисторам....
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case...
Характеристики биполярного транзистора SS8050 Y1 SMD SOT23: Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40...
Производитель STMicroelectronics Серия PowerMESH ™ II Упаковочная трубка Статус детали Устаревший N-канальный полевой транзистор типа FET Технология MOSFET (оксид металла) Напряжение слива к источнику (Vdss) 500 В Ток - непрерывный...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF540N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально...
В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки LR7843 транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог CSD17559Q5T (TI) схема AUIRFB8409 (INFIN) характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET Наименование прибора: IRLR7843 Тип транзистора:...
Ac-38298, PC817C PC817X3, Оптопара транзисторная DIP-4, ABC, Оптопары, ABC количество в упаковке: 1 шт. тип: оптопара
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8550 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог MPSA92 схема MPSW51G характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8550 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25...
RFP50N06 является N-канальным силовым МОП-транзистором 60В, который использует процесс MegaFET. Этот процесс использует особенности, приближающиеся к тем, которые применяются в интегральных схемах LSI, что обеспечивает оптимальное использование кремния и приводит...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13009 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2SC2335 схема 2SC2898 характеристики цоколевка datasheet MJE13009 MJE13009-2 транзистор NPN E13009-2 400В 12А TO-220 Наименование: E13009-2 Маркировка на...
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В...
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36В, используется для светодиодных фонарей, двигателей постоянного тока, помп. Характеристики: Рабочее напряжение: 3.3-20В Выходное напряжение: 0-36 В Выходной ток...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5401 2L транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5401S схема ECG288 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов D882 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF840 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP9NK50Z схема 2SK2542 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF840 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 500...
В комплекте 5 штук новых транзисторов MCR100-8 транзистор (5 шт.) TO92 аналог DCR100-8 схема EC103M характеристики ТО-92 цоколевка datasheet X00602MA Описание Silicon Controlled Rectifier, 0.8A, 800mA, 600V, 600V, TO-92 Технические...
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9013 J3 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MPS6532 схема MPSW01A характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S-9013 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при...
Характеристики транзистора BF423 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 250 В Напряжение коллектор-база Uкбо (max): 250 В Напряжение эмиттер-база Uэбо (max): 5 В Допустимый ток коллектора Iк (max): 0.05 А...
В комплекте 5 штук новых транзисторов Z0607MA транзистор (5 шт.) симистор TO92 аналог AC0V8DGM схема MAC97-4 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet SM1G43 Триаки 0.8 Amp 600 Volt Технические параметры Конфигурация single...
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 G1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MMBT5551 схема KST5551 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9014 J6 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог KSP42 схема MPSA42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S9014 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax -...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов L7905CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7905 схема TA79005P характеристики цоколевка datasheet ВТА06 Микросхема L7905CV представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением -5,0 В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement...
Йств Технические параметры Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ, В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. тип: транзистор
В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8550 D331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог MPS8550 схема MPS751G характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора SS8550 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзистор 13003 в корпусе ТО-126 тип: транзистор
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TIP41C транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SC4242 схема BD711 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора TIP41C Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100...
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8550 Y2 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1037 схема 2SA1620 характеристики цоколевка datasheet SS8550 Транзистор PNP 25В 1.5А sot23 Описание и характеристики SS8550...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45...